Innosilicon
ip page background image
HBM3E/4 PHY 和控制器
第三代和第四代 HBM (HBM3E/4) 技术遵循 JESD238 标准,每次内存读写访问预取 256 位。HBM3E 支持 1024 位输入/输出,而 HBM4 则支持 2048 位输入/输出,并且其 IO 电压为 0.4V,为高性能应用提供了卓越的能效。
与前代产品相似,HBM3E/4 支持在每个 KGSD(堆栈的基本逻辑芯片) 上安置两个、四个、八个、十二个或十六个 DRAM 设备(2Hi、4Hi、8Hi、12Hi,16Hi 堆栈)。第三代HBM 将堆栈内 DRAM 设备的容量扩展到 48GB,并将每个引脚的数据速率提升到 9.6Gbps,为现代数据中心和高性能计算提供了卓越的处理能力和带宽。
HBM3E/4 Combo
PHY 和控制器

芯动科技 HBM3E/4Combo PHY 和控制器,与 GDDR7/6/6X 以及 DDR5/LPDDR5 等产品共同构成了我们最先进的内存 IP 解决方案。这些产品能够完美适配客户各种存储和计算需求。我们拥有经验丰富的研发团队,致力于帮助客户实现最佳的设计效果,并显著缩短产品的研发周期。

HBM3E 8.4Gbps 芯片示波器
HBM3E 8.4Gbps 芯片示波器
HBM4 10Gbps 眼图
HBM4 10Gbps 眼图
HBM 结构图
HBM 结构图
  • 亮点
  • 功能
  • 标准交付物
  • 示例应用

一键启动,简化您的下一个产品设计流程!